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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料															Maximum Drain Source Resistance (MOhm)								厂商																																												操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	箱体转运	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs
IRF1010ESTRRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	12@10V	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing									符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	60	±20	84	130(Max)@10V	130(Max)	3210@25V	200000	53	78	48	12		-55	175		卷带				Obsolete													3			Single																				N
IPI80N04S403BSAKSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	94000		16	12	14	14	-55	175	汽车	通孔	3	Tab	I2PAK	TO-262	通孔										符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	40	±20	4	80		100	1	3.7@10V	51@10V	51	4050@25V		Tube				Unconfirmed													3			Single																				N
IRF6645PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	9.2	-40	150	表面贴装	0.53(Max)	3.95(Max)	3.95(Max)	7	Direct-FET SJ	No Lead									Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	DirectFET	Enhancement	1	100	±20	4.9	5.7	100	20		35@10V	14@10V	14	890@25V	2200	5.1	5		18						Unconfirmed													7			单四漏双源																				N
IRF7506PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	8	SILICON		7.5	180@25V	1250	9.3	12	19	9.7		-55	150	表面贴装	0.86	3	3	8	Micro	LEAD FREE, MICRO-8, SOIC-8	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	150 °C	有	IRF7506PBF	RECTANGULAR	International Rectifier	2	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.18	SOT	1.7 A						Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	2	30	±20	1(Min)	1.7	270@10V	7.5@10V		卷带		e3	有	Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn)			HIGH RELIABILITY	8541.29.00.95	其他晶体管		DUAL	鸥翼	260	unknown	8	R-PDSO-G8	不合格	双排双泄	增强型MOSFET			SWITCHING								P-CHANNEL				0.97 A	0.27 Ω	9.6 A	30 V	P		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	0.39 W
IRF7835PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5(Max)	8	SOP	SOIC	Gull-wing										Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	30	±20	19	4.5@10V	[email protected]	2960@15V		2500	4.6	13	14	9.6	-55	155		表面贴装	1.5(Max)	4(Max)						Obsolete													8			单四漏三源																				N
IRF7823TRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5(Max)	8	SOP	SOIC	Gull-wing										Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	30	±20	13	8.7@10V	[email protected]	1110@15V		2500	2.7	8.2	10	7.2	-55	150		表面贴装	1.5(Max)	4(Max)		卷带				Obsolete													8			单四漏三源																				N
IRF7823PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5(Max)	8	SOP	SOIC	Gull-wing										Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	30	±20	13	8.7@10V	[email protected]	1110@15V		2500	2.7	8.2	10	7.2	-55	150		表面贴装	1.5(Max)	4(Max)						Obsolete													8			单四漏三源																				N
IRF7703PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	8	SOP	TSSOP	Gull-wing									Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	40	±20	6	28@10V	[email protected]	5220@25V		1500	77	405	155	43	-55	150		表面贴装	1	4.4	3						Obsolete													8			Single																				P
IRF7832ZTRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5(Max)	8	SOP	SOIC	Gull-wing										Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	30	±20	21	3.8@10V	[email protected]	3860@15V		2500	5.6	15	18	14	-55	150		表面贴装	1.5(Max)	4(Max)		卷带				Obsolete													8			单四漏三源																				N
IRF7343ITRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	10@P Channel\|3.2@N Channel	43@P Channel\|32@N Channel	14@P Channel\|8.3@N Channel	-55		150	表面贴装	1.5(Max)	4(Max)	5(Max)	8	SOP	SOIC	Gull-wing	,	150 °C	有	IRF7343ITRPBF	International Rectifier	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.54									Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	2	55	±20	3.4@P Channel\|4.7@N Channel	105@10V@P Channel\|50@10V@N Channel	26@10V@P Channel\|24@10V@N Channel	26@P Channel\|24@N Channel		740@25V@N Channel\|690@25V@P Channel	2000	13@N Channel\|22@P Channel		卷带				Obsolete							其他晶体管					unknown	8			双排双泄	增强型MOSFET											N-CHANNEL AND P-CHANNEL				4.7 A				P\|N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	2 W
IRF7752PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	8	SOP	TSSOP	Gull-wing									Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	2	30	±12	4.6	30@10V	[email protected]	861@25V		1000	11	9.1	25	7.2	-55	150		表面贴装	1	4.4	3						Obsolete													8			双双源																				N
IRFR3911TRRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		7.9	-55	175	表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing										符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	14	115@10V		21@10V	21	740@25V	56000	25	26	52		卷带				Obsolete													3			Single																				N
IRFR24N15DTRRP	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	3	175	汽车	表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	Gull-wing	DPAK	TO-252	Tab	2	Compliant	19 ns								Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	150	±30	24	95@10V	30@10V	30		890@25V	140000	15	53	19	11	-55			卷带				Obsolete			175 °C	-55 °C									3			Single			11 ns							53 ns				24 A	30 V					N					无
IRLML6402TRPBF-1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Micro3™/SOT-23		HEXFET	功率MOSFET	无	1300	381	48	588	Infineon Technologies	350	-55	150	表面贴装	1.02(Max)	1.4(Max)	3.04(Max)	3	SOT	SOT-23	Gull-wing	Tape & Reel (TR)	3.7A (Ta)	2.5V, 4.5V	1.3W (Ta)	Obsolete	,	有	IRLML6402TRPBF-1	International Rectifier	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.66							无	EAR99	Compliant	633@10V	8@5V	[email protected]	1	100	3.7	1.2	±12	20	1	Enhancement	-55°C ~ 150°C (TJ)	卷带	HEXFET®			Obsolete								MOSFET (Metal Oxide)				unknown	3			Single				P-Channel	65mOhm @ 3.7A, 4.5V	1.2V @ 250µA	633 pF @ 10 V	12 nC @ 5 V		20 V	±12V									P				-
IRF7836TRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	SILICON	2400@15V		2500	4.2	11	12	8.9	-55	150		表面贴装	1.5(Max)	4(Max)	5(Max)	8	SOP	SOIC	Gull-wing	LEAD FREE, SOP-8	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	150 °C	有	IRF7836TRPBF	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.82	SOIC	17 A							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	30	±20	17	5.7@10V	[email protected]		卷带		e3	有	Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn)					FET 通用电源		DUAL	鸥翼	260	unknown	8	R-PDSO-G8	不合格	单四漏三源	增强型MOSFET			SWITCHING								N-CHANNEL		MS-012AA		17 A	0.0057 Ω	130 A	30 V	N	130 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	2.5 W
IRLR7821CPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	[email protected]	1030@15V		75000	3.2	4.2	10	11	-55	175		表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	IRLR7821CPBF	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.13	TO-252AA	30 A							符合免除	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	30	±20	65	10@10V		Tube		e3	有	Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier					FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	260	not_compliant	3	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN		SWITCHING								N-CHANNEL		TO-252AA		65 A	0.01 Ω	260 A	30 V	N	230 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W
SN7002NL6433XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7.2	360		3.6	3.2	5.3	2.4	-55	150	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing										Compliant	EAR99	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	1.8	0.2	5000@10V	1@10V		1	0.42	0.14	5.9	34@25V		卷带				Obsolete													3			Single																				N
IPB65R280E6XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	280@10V	有	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	700	20	13.8	45@10V	45	950@100V	104000	9	9	76	11	-55	150											符合免除	EAR99	有		卷带				NRND																Single																					N
IRFR3709ZCTRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	EAR99	79000	3.9	12	15	12		-55	175	表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing	,	175 °C	有	IRFR3709ZCTRPBF	International Rectifier	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.64									有	有	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	30	±20	86	6.5@10V	[email protected]	2330@15V		符合免除		卷带				Obsolete							FET 通用电源					unknown	3			Single	增强型MOSFET											N-CHANNEL				86 A				N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	79 W
SPP15P10PGXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	961@25V	237	128000		16	23	33	9.5	-55	175	汽车	通孔	9.45(Max)	4.57(Max)	10.36(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220										Compliant	EAR99	无	无	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	100	±20	2.1	15	240@10V	37@10V		37	18	5.4	419		Tube				Obsolete													3			Single																				P
SPD30N03S2L10XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK										Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	30	10@10V	31.4@10V	31.4	1160@25V		100000	17	13	27	6.1	-55	175		表面贴装	2.3	6.22		卷带				Obsolete													3			Single																				N
IRLML2402TRHR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si			无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	20	±12	0.7(Min)	1.2	[email protected]	[email protected]	1.1	0.41		16	110@15V	51	540	4.8	9.5	9.7		2.5	-55	150								卷带				Obsolete																Single																					N
DE150-101N09A	IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	3.18	13.72	12.7	6	D1, 6 PIN	有	DE150-101N09A	IXYS Corporation	Obsolete	IXYS CORP	5.8										Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	9	160@15V	22@10V	22	700@70V		200000	4	4	4	4	-55	175					有	Unconfirmed	EAR99											compliant	6			单四源																				N
BSS314PEL6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	140@10V	3	SOT	SOT-23	Gull-wing										Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	1.5	2.9@10V	2.9	221@15V	500	2.8	3.9	12.4	5.1	-55	150		表面贴装	1(Max)	1.3	2.9		卷带				Obsolete													3			Single																				P
IRLR8711CPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	-55	175	表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing										符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	25	±20	84	5.6@10V		[email protected]	1640@13V	68000	4.4	29	10	9.7			卷带				Obsolete													3			Single																				N